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重点项目进行时：纵慧芯光半导体芯片制造项目

来源：作者：日期：2024-04-15 　报料热线：86598222

　　位于武进国家高新区的纵慧芯光半导体芯片制造项目是省重大项目，总投资5.5亿元，用地40亩，新建生产用房及辅助用房面积约2.8万平方米。目前，项目已开工建设，达产后将形成年产3英寸砷化镓芯片和3英寸磷化铟芯片合计5000万颗的生产能力。

重点项目进行时：纵慧芯光半导体芯片制造项目

责编： 孙婷婷

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